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BC858W,115

BC858W,115 Nexperia

bc856w_bc857w_bc858w.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details BC858W,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - BC858W,115 - Bipolarer HF-Transistor, PNP, -30 V, 100 MHz, 200 mW, -100 mA, SOT-323, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 800hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: -100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: -30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BC858W,115 BC858W,115 Hersteller : Nexperia BC856W_BC857W_BC858W.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT323 65V .1A PNP BJT
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BC858W,115 BC858W,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BC856W_BC857W_BC858W.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
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BC858W,115 BC858W,115 Hersteller : NEXPERIA PHGLS08627-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC858W,115 - Bipolarer HF-Transistor, PNP, -30 V, 100 MHz, 200 mW, -100 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 800hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: -100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: -30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3099 Stücke:
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BC858W,115 BC858W,115 Hersteller : NEXPERIA PHGLS08627-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC858W,115 - Bipolarer HF-Transistor, PNP, -30 V, 100 MHz, 200 mW, -100 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 800hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: -100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: -30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BC858W,115 BC858W,115 Hersteller : NEXPERIA 1515642222250603bc856w_bc857w_bc858w.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
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BC858W,115 BC858W,115 Hersteller : Nexperia bc856w_bc857w_bc858w.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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BC858W,115 BC858W,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BC856W_BC857W_BC858W.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
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BC858W,115 BC858W,115 Hersteller : NEXPERIA BC856W_BC857W_BC858W.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 125...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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