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BC859C,215 Nexperia


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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BC859C,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - BC859C,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 250mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC859C,215 BC859C,215 Nexperia bc859bc860.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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BC859C,215 BC859C,215 NEXPERIA BC859_BC860.pdf Description: NEXPERIA - BC859C,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BC859C,215 BC859C,215 NXP TBC859c_NXP_NXP_0001.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Substitute: BC859C,215; BC859C,235; BC859C.215; BC859C.235; BC859C215; BC859C,215 SOT23 NXP TBC859c NXP
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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BC859C,215 NXP/Nexperia/We-En BC859_BC860.pdf Транзистор PNP, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, hFE = 420 @ 2mA, 5V, Опис Транзистор PNP, Р, Вт = 0.25,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
verfügbar 15 Stücke:
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC859C,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
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Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Hersteller: NXP
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Substitute: BC859C,215; BC859C,235; BC859C.215; BC859C.235; BC859C215; BC859C,215 SOT23 NXP TBC859c NXP
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Hersteller: NXP/Nexperia/We-En
Транзистор PNP, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, hFE = 420 @ 2mA, 5V, Опис Транзистор PNP, Р, Вт = 0.25,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
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