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BC859C,215

BC859C,215 NXP

TBC859c_NXP_NXP_0001.pdf
Hersteller: NXP
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Substitute: BC859C,215; BC859C,235; BC859C.215; BC859C.235; BC859C215; BC859C,215 SOT23 NXP TBC859c NXP
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Technische Details BC859C,215 NXP

Description: TRANS PNP 30V 0.1A TO-236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 250 mW, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BC859C,215 NXP/Nexperia/We-En BC859_BC860.pdf Транзистор PNP, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, hFE = 420 @ 2mA, 5V, Опис Транзистор PNP, Р, Вт = 0.25,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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BC859C,215 BC859_BC860.pdf
Hersteller: NXP/Nexperia/We-En
Транзистор PNP, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, hFE = 420 @ 2mA, 5V, Опис Транзистор PNP, Р, Вт = 0.25,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
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