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BC859C,215 Nexperia

Name: BC859C,215
Brand: Nexperia
SKU: 191985-5
Price: 150.38 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

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Technische Details BC859C,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - BC859C,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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BC859C,215

Hersteller : Nexperia

Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

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16130+	0.04 EUR

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BC859C,215

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BC859C,215

Hersteller : Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PNP 30V 0.1A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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BC859C,215

Hersteller : Nexperia

Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

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BC859C,215

Hersteller : Nexperia

Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

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641+	0.22 EUR
642+	0.20 EUR

Mindestbestellmenge: 640

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BC859C,215

Hersteller : Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PNP 30V 0.1A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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72+	0.25 EUR
114+	0.15 EUR
187+	0.10 EUR
500+	0.07 EUR
1000+	0.06 EUR

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BC859C,215

Hersteller : Nexperia

Bipolar Transistors - BJT BC859C/SOT23/TO-236AB

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Anzahl	Preis
11+	0.27 EUR
18+	0.16 EUR
100+	0.07 EUR
1000+	0.07 EUR
3000+	0.03 EUR
9000+	0.03 EUR
24000+	0.02 EUR

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BC859C,215

Hersteller : NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BC859C,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 3438 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BC859C,215

Hersteller : NEXPERIA

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BC859C,215

Hersteller : NEXPERIA

BC859C.215 PNP SMD transistors

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324+	0.22 EUR
932+	0.08 EUR
1611+	0.04 EUR
9000+	0.03 EUR

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BC859C,215

Hersteller : NEXPERIA

Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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Hersteller : NEXPERIA

Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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