BC859CE6327HTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BC859CE6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 30V 0.1A PG-SOT23, Power - Max: 330 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Last Time Buy, Supplier Device Package: PG-SOT23, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote BC859CE6327HTSA1 nach Preis ab 0.088 EUR bis 0.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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BC859CE6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC859CE6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC859CE6327HTSA1 | Infineon Technologies |
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BC859CE6327HTSA1 | Infineon Technologies |
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| BC859CE6327HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BC859CE6327HTSA1 - BC859 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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| BC859CE6327HTSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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| BC859CE6327HTSA1 |
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Hersteller: ROCHESTER ELECTRONICS
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