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BC859CE6327HTSA1

BC859CE6327HTSA1 Infineon Technologies

bc857series.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BC859CE6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: TRANS PNP 30V 0.1A PG-SOT23, Power - Max: 330 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Last Time Buy, Supplier Device Package: PG-SOT23, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC859CE6327HTSA1 BC859CE6327HTSA1 Infineon Technologies bc857series.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BC859CE6327HTSA1 BC859CE6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon-BC856SERIES_BC857SERIES_BC858SERIES_BC859SERIES_BC860SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011787d183d011e9 Description: TRANS PNP 30V 0.1A PG-SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 330 mW
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BC859CE6327HTSA1 ROCHESTER ELECTRONICS SIEMD095-503.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BC859CE6327HTSA1 - BC859 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 30V 0.1A PG-SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 330 mW
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Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BC859CE6327HTSA1 - BC859 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
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