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BC859CW,115

BC859CW,115 Nexperia

bc859w860w.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details BC859CW,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - BC859CW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BC859CW,115 BC859CW,115 Hersteller : Nexperia bc859w860w.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
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BC859CW,115 BC859CW,115 Hersteller : Nexperia bc859w860w.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
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BC859CW,115 BC859CW,115 Hersteller : Nexperia bc859w860w.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
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BC859CW,115 BC859CW,115 Hersteller : NEXPERIA BC859W_860W.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2019 Stücke:
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Anzahl Preis
417+0.17 EUR
582+0.12 EUR
715+0.1 EUR
1112+0.064 EUR
1341+0.053 EUR
2009+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 417
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BC859CW,115 BC859CW,115 Hersteller : NEXPERIA BC859W_860W.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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BC859CW,115 BC859CW,115 Hersteller : Nexperia BC859W_860W.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP general purpose transistors
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19+0.15 EUR
100+0.099 EUR
500+0.07 EUR
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BC859CW,115 BC859CW,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BC859W_860W.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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59+0.3 EUR
97+0.18 EUR
156+0.11 EUR
500+0.083 EUR
1000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 59
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BC859CW,115 BC859CW,115 Hersteller : Nexperia bc859w860w.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
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BC859CW,115 BC859CW,115 Hersteller : NEXPERIA PHGLS19380-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC859CW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 444 Stücke:
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BC859CW,115 BC859CW,115 Hersteller : NEXPERIA PHGLS19380-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC859CW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BC859CW,115 Hersteller : NXP BC859W_860W.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R Substitute: BC859CW,135; BC859CW,115; BC859CW.135; BC859CW.115; BC859CW SC70-3(T/R) NEXPERIA TBC859cw
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BC859CW,115 BC859CW,115 Hersteller : NEXPERIA 1746114262916054bc859w_860w.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
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BC859CW,115 BC859CW,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BC859W_860W.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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