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BC859CW

BC859CW Diotec Semiconductor

bc856w.pdf Hersteller: Diotec Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-323, 30V, 100mA, PNP
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Technische Details BC859CW Diotec Semiconductor

Description: DIOTEC - BC859CW - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BC859CW BC859CW Hersteller : DIOTEC bc856w.pdf Description: DIOTEC - BC859CW - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
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BC859CW BC859CW Hersteller : DIOTEC bc856w.pdf Description: DIOTEC - BC859CW - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BC859CW Hersteller : Diotec Semiconductor bc856w.pdf General Purpose PNP Transistor
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BC859CW BC859CW Hersteller : Diotec Semiconductor bc856w.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R
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BC859CW BC859CW Hersteller : Diotec Semiconductor bc856w.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R
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BC859CW BC859CW Hersteller : Diotec Semiconductor bc856w.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
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