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BC860C,215

BC860C,215 Nexperia

bc859bc860.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BC860C,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - BC860C,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BC860C,215 BC860C,215 Hersteller : Nexperia bc859bc860.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BC860C,215 BC860C,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BC859_BC860.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Anzahl Preis
3000+0.055 EUR
6000+0.049 EUR
9000+0.046 EUR
15000+0.042 EUR
21000+0.04 EUR
30000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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BC860C,215 BC860C,215 Hersteller : NEXPERIA BC859_BC860.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5057 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
455+0.16 EUR
625+0.11 EUR
897+0.08 EUR
1055+0.068 EUR
1530+0.047 EUR
3185+0.022 EUR
3356+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 455
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BC860C,215 BC860C,215 Hersteller : NEXPERIA BC859_BC860.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
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BC860C,215 BC860C,215 Hersteller : Nexperia BC859_BC860.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT23 45V .1A PNP BJT
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13+0.22 EUR
20+0.14 EUR
100+0.09 EUR
500+0.062 EUR
1000+0.053 EUR
3000+0.044 EUR
6000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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BC860C,215 BC860C,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BC859_BC860.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 31632 Stücke:
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Anzahl Preis
67+0.26 EUR
106+0.17 EUR
170+0.1 EUR
500+0.076 EUR
1000+0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 67
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BC860C,215 BC860C,215 Hersteller : NEXPERIA 668104.pdf Description: NEXPERIA - BC860C,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 12115 Stücke:
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BC860C,215 BC860C,215 Hersteller : NEXPERIA 668104.pdf Description: NEXPERIA - BC860C,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BC860C,215 BC860C,215 Hersteller : Nexperia bc859bc860.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BC860C,215 BC860C,215 Hersteller : NEXPERIA 11034104738248bc859_bc860.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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