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Technische Details BCM847BV,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - BCM847BV,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 300 mW, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 290hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 250MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 300mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BCM847BV,115 nach Preis ab 0.13 EUR bis 0.72 EUR
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BCM847BV,115 | Hersteller : Nexperia |
 Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R |
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BCM847BV,115 | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT NRND for Automotive Applications BCM847BV/SOT666/SOT6 |
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BCM847BV,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCM847BV,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 300 mW tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 290hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 250MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 300mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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BCM847BV,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCM847BV,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 300 mW tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 290hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 250MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 300mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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BCM847BV,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R |
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BCM847BV,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive 6-Pin SOT-666 T/R |
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BCM847BV,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Matched Pair Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-666 |
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BCM847BV,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-666 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Matched Pair Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-666 |
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