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BCM856DS,115

BCM856DS,115 Nexperia

bcm856ds.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BCM856DS,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - BCM856DS,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 380mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 290hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-457, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: -W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -A.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BCM856DS,115 BCM856DS,115 Hersteller : Nexperia bcm856ds.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
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BCM856DS,115 BCM856DS,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BCM856BS_BCM856DS.pdf Description: TRANS 2PNP 65V 100MA 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
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BCM856DS,115 BCM856DS,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BCM856BS_BCM856DS.pdf Description: TRANS 2PNP 65V 100MA 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 175MHz
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Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
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BCM856DS,115 BCM856DS,115 Hersteller : Nexperia BCM856BS_BCM856DS.pdf Bipolar Transistors - BJT BCM856DS/SOT457/SC-74
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24000+0.13 EUR
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BCM856DS,115 BCM856DS,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0006011399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BCM856DS,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 290hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -A
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BCM856DS,115 Hersteller : NEXPERIA BCM856BS_BCM856DS.pdf BCM856DS.115 PNP SMD transistors
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BCM856DS,115 BCM856DS,115
Produktcode: 72359
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