BCM856SH6327XTSA1 ROCHESTER ELECTRONICS
Hersteller: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCM856SH6327XTSA1 - BCM856S NPN SILICON AF TRANSISTOR ARRAY
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Technische Details BCM856SH6327XTSA1 ROCHESTER ELECTRONICS
Description: TRANS 2PNP 65V 0.1A PG-SOT363-PO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: PG-SOT363-PO.
Weitere Produktangebote BCM856SH6327XTSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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BCM856SH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: TRANS 2PNP 65V 0.1A PG-SOT363-PO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT363-PO |
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BCM856SH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: TRANS 2PNP 65V 0.1A PG-SOT363-PO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT363-PO |
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BCM856SH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR |
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| BCM856SH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP Type of transistor: PNP |
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BCM856SH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BCM856SH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BCM856SH6327XTSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRANS 2PNP 65V 0.1A PG-SOT363-PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Description: TRANS 2PNP 65V 0.1A PG-SOT363-PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
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| BCM856SH6327XTSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRANS 2PNP 65V 0.1A PG-SOT363-PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Description: TRANS 2PNP 65V 0.1A PG-SOT363-PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
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| BCM856SH6327XTSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR
Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| BCM856SH6327XTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| BCM856SH6327XTSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
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Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
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| BCM856SH6327XTSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
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Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
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