BCP51-16E6327 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans GP BJT PNP 45V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details BCP51-16E6327 Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 45V 1A SOT-223, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 125MHz, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 2 W.
Weitere Produktangebote BCP51-16E6327 nach Preis ab 0.26 EUR bis 0.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BCP51-16E6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRANS PNP 45V 1A SOT-223 Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 2 W |
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BCP 51-16 E6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR |
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| BCP51-16 E6327 | Hersteller : Infineon | SOT223 |
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| BCP51-16E6327 | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCP51-16E6327 - BCP51 - SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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BCP51-16E6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 45V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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