Technische Details BCP68-25 E6327 Infineon
Description: TRANS NPN 20V 1A PG-SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 3 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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BCP 68-25 E6327 | Infineon Technologies |
Description: TRANS NPN 20V 1A PG-SOT223-4Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 3 W |
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BCP 68-25 E6327 | Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR |
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| BCP 68-25 E6327 | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 20V 1A PG-SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 3 W
Description: TRANS NPN 20V 1A PG-SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
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Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR
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| BCP 68-25 E6327 |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT
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