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BCP51,115

BCP51,115 Nexperia

bcp51ser.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 45V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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Technische Details BCP51,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - BCP51,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 650mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCP51, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 145MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BCP51,115 BCP51,115 NEXPERIA BCP51_BCX51_BC51PA.pdf Description: NEXPERIA - BCP51,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCP51
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 145MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.6 EUR
3000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BCP51,115 BCP51,115 Nexperia USA Inc. BCP51_BCX51_BC51PA.pdf Description: TRANS PNP 45V 1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.83 EUR
41+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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BCP51,115 BCP51,115 Nexperia BCP51_BCX51_BC51PA.pdf Bipolar Transistors - BJT BCP51/SOT223/SC-73
auf Bestellung 211 Stücke:
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4+0.99 EUR
10+0.64 EUR
50+0.61 EUR
100+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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BCP51,115 NXP/Nexperia/We-En BC636,BCP51,BCX51_NXP.pdf Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1, Uceo, В = 45, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 145, hFE = 63 @ 150 мА, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
verfügbar 65 Stücke:
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BCP51,115 BCP51_BCX51_BC51PA.pdf
BCP51,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCP51,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCP51
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 145MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BCP51,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 45V 1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
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Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1, Uceo, В = 45, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 145, hFE = 63 @ 150 мА, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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