Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BCP51,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - BCP51,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 650mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCP51, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 145MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BCP51,115 nach Preis ab 0.073 EUR bis 0.6 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BCP51,115 | Nexperia |
 Trans GP BJT PNP 45V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
auf Bestellung 3990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||
 |
BCP51,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCP51,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCP51 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 145MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||
| BCP51,115 | NXP/Nexperia/We-En |
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1, Uceo, В = 45, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 145, hFE = 63 @ 150 мА, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
verfügbar 65 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BCP51,115 |
|
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 45V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Trans GP BJT PNP 45V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 3990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1419+ | 0.12 EUR |
| 2321+ | 0.073 EUR |
| BCP51,115 |
|
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCP51,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCP51
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 145MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BCP51,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCP51
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 145MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 0.6 EUR |
| 3000+ | 0.55 EUR |
| BCP51,115 |
|
Hersteller: NXP/Nexperia/We-En
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1, Uceo, В = 45, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 145, hFE = 63 @ 150 мА, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1, Uceo, В = 45, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 145, hFE = 63 @ 150 мА, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
verfügbar 65 Stücke: