BCP52,135 Nexperia
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Technische Details BCP52,135 Nexperia
Description: NEXPERIA - BCP52,135 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 650mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: BCP52, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 145MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BCP52,135 nach Preis ab 0.32 EUR bis 0.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BCP52,135 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
 Description: TRANS PNP 60V 1A SOT-223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
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BCP52,135 | Hersteller : Nexperia |
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BCP52,135 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCP52,135 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP52 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 145MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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BCP52,135 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCP52,135 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP52 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 145MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 184 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BCP52,135 | Hersteller : NXP Semiconductors |
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BCP52,135 Produktcode: 86084
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP |
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BCP52,135 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
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BCP52,135 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 60V 1A SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
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| BCP52,135 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: TRANSISTOR PNP 60V 1A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) |
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