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Technische Details BCP52-16,115 NXP
Description: NEXPERIA - BCP52-16,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 650mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 145MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BCP52-16,115
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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BCP52-16,115 | NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - BCP52-16,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 145MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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BCP52-16,115 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BCP52-16,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCP52-16,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 145MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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| BCP52-16,115 |
BCP52-16,115 Транзисторы |
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| BCP52-16,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCP52-16,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 145MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BCP52-16,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
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| BCP52-16,115 |
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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| BCP52-16,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCP52-16,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
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BCP52-16,115 Транзисторы
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