BCP53,115 Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details BCP53,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BCP53,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 650mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 145MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BCP53,115 nach Preis ab 0.16 EUR bis 2.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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BCP53,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCP53,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
auf Bestellung 44490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCP53,115 | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product. |
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BCP53,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
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BCP53,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 650mW; SC73,SOT223 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 0.65W Case: SC73; SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 145MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BCP53,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 650mW; SC73,SOT223 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 0.65W Case: SC73; SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 145MHz |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCP53,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCP53,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 145MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCP53,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCP53,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 145MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCP53,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BCP53,115 | Hersteller : NXP |
Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R BCP53.115; BCP53,115 TBCP53 NXP Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BCP53,115 |
BCP53,115 Транзисторы |
auf Bestellung 9708 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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| BCP53,115 | Hersteller : NXP/Nexperia/We-En |
Транзистор PNP; Ptot, Вт = 1; Uceo, В = 80; Ic = 1 А; Тип монт. = smd; ft, МГц = 145; hFE = 63 @ 150 мA, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA; Тексп, °С = -55...+150; SOT-223 |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCP53,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
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