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BCP53-10T1G

BCP53-10T1G ONSEMI

BCP53_ser.pdf Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 1.5W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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Technische Details BCP53-10T1G ONSEMI

Description: ONSEMI - BCP53-10T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1.5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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BCP53-10T1G BCP53-10T1G Hersteller : ONSEMI BCP53_ser.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 1.5W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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BCP53-10T1G BCP53-10T1G Hersteller : ON Semiconductor bcp53t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BCP53-10T1G BCP53-10T1G Hersteller : ON Semiconductor bcp53t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BCP53-10T1G BCP53-10T1G Hersteller : ON Semiconductor bcp53t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BCP53-10T1G BCP53-10T1G Hersteller : ON Semiconductor bcp53t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BCP53-10T1G BCP53-10T1G Hersteller : onsemi bcp53t1-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
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5000+ 0.31 EUR
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BCP53-10T1G BCP53-10T1G Hersteller : onsemi bcp53t1-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
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100+ 0.57 EUR
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BCP53-10T1G BCP53-10T1G Hersteller : onsemi BCP53T1_D-2310302.pdf Bipolar Transistors - BJT 1.5A 100V PNP
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BCP53-10T1G BCP53-10T1G Hersteller : ON Semiconductor bcp53t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BCP53-10T1G BCP53-10T1G Hersteller : ON Semiconductor bcp53t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BCP53-10T1G BCP53-10T1G Hersteller : ON Semiconductor bcp53t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BCP53-10T1G BCP53-10T1G Hersteller : ON Semiconductor bcp53t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BCP53-10T1G BCP53-10T1G Hersteller : ONSEMI 2028660.pdf Description: ONSEMI - BCP53-10T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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BCP53-10T1G BCP53-10T1G Hersteller : ON Semiconductor bcp53t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BCP53-10T1G BCP53-10T1G Hersteller : ONSEMI 2028660.pdf Description: ONSEMI - BCP53-10T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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