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BCP53-10T1G

BCP53-10T1G ON-Semiconductor

TBCP5310_ONS_ON_0001.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor PNP; 160; 1,5W, 80V; 1,5A; 50MHz, -55°C ~ 150°C; BCP53-10T1G ONS TBCP5310 ONS
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Technische Details BCP53-10T1G ON-Semiconductor

Description: ONSEMI - BCP53-10T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 1.5A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BCP53-10T1G BCP53-10T1G ONSEMI BCP53_ser.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 63...160
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
auf Bestellung 427 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+0.69 EUR
178+0.4 EUR
269+0.27 EUR
304+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 105
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BCP53-10T1G BCP53-10T1G onsemi BCP53T1-D.PDF Description: TRANS PNP 80V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.04 EUR
28+0.65 EUR
100+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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BCP53-10T1G BCP53-10T1G onsemi BCP53T1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 1.5A 100V PNP
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.8 EUR
10+1.24 EUR
100+0.78 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BCP53-10T1G BCP53-10T1G ONSEMI 2028660.pdf Description: ONSEMI - BCP53-10T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BCP53-10T1G BCP53-10T1G ONSEMI 2028660.pdf Description: ONSEMI - BCP53-10T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BCP53-10T1G BCP53_ser.pdf
BCP53-10T1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 63...160
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
auf Bestellung 427 Stücke:
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Anzahl Preis
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178+0.4 EUR
269+0.27 EUR
304+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 105
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BCP53-10T1G BCP53T1-D.PDF
BCP53-10T1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
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Mindestbestellmenge: 17
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BCP53-10T1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 1.5A 100V PNP
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10+1.24 EUR
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1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BCP53-10T1G 2028660.pdf
BCP53-10T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP53-10T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BCP53-10T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP53-10T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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