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BCP53-16-QX

BCP53-16-QX Nexperia

bcp53-q_ser.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BCP53-16-QX Nexperia

Description: NEXPERIA - BCP53-16-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.35 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.35W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: BCP53-Q Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 145MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BCP53-16-QX Hersteller : NEXPERIA bcp53-q_ser.pdf BCP53-16-QX
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BCP53-16-QX BCP53-16-QX Hersteller : NEXPERIA BCP53-Q_SER.pdf Description: NEXPERIA - BCP53-16-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.35 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.35W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP53-Q Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 145MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BCP53-16-QX BCP53-16-QX Hersteller : Nexperia USA Inc. BCP53-Q_SER.pdf Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 650 mW
Qualification: AEC-Q101
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BCP53-16-QX BCP53-16-QX Hersteller : Nexperia USA Inc. BCP53-Q_SER.pdf Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 650 mW
Qualification: AEC-Q101
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BCP53-16-QX BCP53-16-QX Hersteller : Nexperia BCP53-Q_SER.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT223 80V 1A PNP BJT
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