BCP5316H6327XTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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| Anzahl | Preis |
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| 7000+ | 0.18 EUR |
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Technische Details BCP5316H6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 80V 1A PG-SOT223-4-24, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 125MHz, Supplier Device Package: PG-SOT223-4-24, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 2 W.
Weitere Produktangebote BCP5316H6327XTSA1 nach Preis ab 0.17 EUR bis 0.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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BCP5316H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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BCP5316H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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BCP5316H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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BCP5316H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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| BCP5316H6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP Type of transistor: PNP |
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| BCP5316H6327XTSA1 | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCP5316H6327XTSA1 - BCP 53-16 - AF TRANSISTOR ARRAY tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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BCP5316H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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BCP5316H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRANS PNP 80V 1A PG-SOT223-4-24 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: PG-SOT223-4-24 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
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BCP5316H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS |
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