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BCP5316H6327XTSA1 Infineon Technologies

Name: BCP5316H6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 41160548-5
Price: 1890.00 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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Technische Details BCP5316H6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: TRANS PNP 80V 1A PG-SOT223-4-24, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 125MHz, Supplier Device Package: PG-SOT223-4-24, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 2 W.

Weitere Produktangebote BCP5316H6327XTSA1

Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
BCP5316H6327XTSA1	Infineon Technologies	Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 7000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BCP5316H6327XTSA1	Infineon Technologies	Description: TRANS PNP 80V 1A PG-SOT223-4-24 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: PG-SOT223-4-24 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 7000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BCP5316H6327XTSA1	Infineon Technologies	Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 7000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BCP5316H6327XTSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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BCP5316H6327XTSA1

bcp51_bcp52_bcp53.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a304314dca38901156ad4194521c9

Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 80V 1A PG-SOT223-4-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-24
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W

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BCP5316H6327XTSA1

Infineon_BCP51_BCP52_BCP53_DS_v01_01_en-1225926.pdf

Hersteller: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS

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