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BCP5316TA

BCP5316TA DIODES/ZETEX

TBCP5316_5317.pdf
Hersteller: DIODES/ZETEX
Transistor PNP; 250; 2W; 80V; 1A; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: BCP5316TA (SPQ1K); BCP5316TC (SPQ4K); BCP53-16 STM; BCP 53-16 H6327 BCP53-16TA TBCP5316
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Technische Details BCP5316TA DIODES/ZETEX

Description: DIODES INC. - BCP5316TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: BCP53, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BCP5316TA BCP5316TA Diodes Incorporated BCP51_52_53.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power
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BCP5316TA BCP5316TA DIODES INC. DIOD-S-A0000570358-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BCP5316TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP53
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BCP5316TA BCP5316TA DIODES INC. DIOD-S-A0000570358-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BCP5316TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP53
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BCP5316TA DIODES, INC. BCP51_52_53.pdf TRANS PNP 80V 1A SOT223
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BCP5316TA Diodes INC. BCP51_52_53.pdf Транзистор PNP, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 150, hFE = 100, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
verfügbar 4 Stücke:
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BCP5316TA Diodes INC. BCP51_52_53.pdf Транзистор PNP, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 150, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
verfügbar 1990 Stücke:
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BCP5316TA BCP51_52_53.pdf
BCP5316TA
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+0.54 EUR
100+0.35 EUR
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BCP5316TA DIOD-S-A0000570358-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCP5316TA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BCP5316TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP53
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BCP5316TA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BCP5316TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP53
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BCP5316TA BCP51_52_53.pdf
Hersteller: DIODES, INC.
TRANS PNP 80V 1A SOT223
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BCP5316TA BCP51_52_53.pdf
Hersteller: Diodes INC.
Транзистор PNP, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 150, hFE = 100, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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BCP5316TA BCP51_52_53.pdf
Hersteller: Diodes INC.
Транзистор PNP, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 150, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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