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BCP53MTWG

BCP53MTWG ON Semiconductor

bcp53m-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 1A 1500mW 3-Pin WDFNW EP T/R
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Technische Details BCP53MTWG ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 80V 1A 3WDFNW, Packaging: Bulk, Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 130MHz, Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2), Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 875 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BCP53MTWG BCP53MTWG Hersteller : onsemi bcp56m-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 80V 1A PNP WDFNW3 2X2
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BCP53MTWG BCP53MTWG Hersteller : onsemi bcp56m-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 1A 3WDFNW
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 875 mW
auf Bestellung 5880 Stücke:
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BCP53MTWG BCP53MTWG Hersteller : ON Semiconductor bcp53m-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1A 1500mW 3-Pin WDFNW EP T/R
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BCP53MTWG Hersteller : ONSEMI bcp56m-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; WDFN3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: WDFN3
Mounting: SMD
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