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BCP53MTWG

BCP53MTWG ON Semiconductor

bcp53m-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 1A 1500mW 3-Pin WDFNW EP T/R
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Technische Details BCP53MTWG ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 80V 1A 3WDFNW, Packaging: Bulk, Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 130MHz, Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2), Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 875 mW.

Weitere Produktangebote BCP53MTWG nach Preis ab 0.33 EUR bis 1.43 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BCP53MTWG BCP53MTWG onsemi BCP53M-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 80V 1A PNP WDFNW3 2X2
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BCP53MTWG BCP53MTWG onsemi BCP53M-D.PDF Description: TRANS PNP 80V 1A 3WDFNW
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 875 mW
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24+0.88 EUR
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500+0.43 EUR
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BCP53MTWG
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Bipolar Transistors - BJT 80V 1A PNP WDFNW3 2X2
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Transistor Type: PNP
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Frequency - Transition: 130MHz
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Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 875 mW
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