BCP5416H6433XTMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT NPN 45V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223
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Technische Details BCP5416H6433XTMA1 Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 45V 1A PG-SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 2 W.
Weitere Produktangebote BCP5416H6433XTMA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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BCP5416H6433XTMA1 | Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 45V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 |
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Mindestbestellmenge: 8000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BCP5416H6433XTMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRANS NPN 45V 1A PG-SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 2 W |
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BCP5416H6433XTMA1 | Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS |
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 2 W
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Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
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Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS
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