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BCP54H6327XTSA1

BCP54H6327XTSA1 Infineon Technologies

bcp54_bcp55_bcp56.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT NPN 45V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details BCP54H6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: TRANS NPN 45V 1A PG-SOT223-4-10, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: PG-SOT223-4-10, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 2 W.

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BCP54H6327XTSA1 BCP54H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bcp54_bcp55_bcp56.pdf Trans GP BJT NPN 45V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-10
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 2 W
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BCP54H6327XTSA1 Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS INFNS17362-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCP54H6327XTSA1 - BCP54 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
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BCP54H6327XTSA1 BCP54H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bcp54_bcp55_bcp56-1730848.pdf Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS
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