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Technische Details BCP55,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - BCP55,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 640 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 640mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: BCP55, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 180MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BCP55,115 nach Preis ab 0.14 EUR bis 1.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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BCP55,115 | Nexperia |
 Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
auf Bestellung 761000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCP55,115 | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BCP55/SOT223/SC-73 |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BCP55,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCP55,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 640 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 640mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP55 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 591 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCP55,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCP55,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 640 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 640mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP55 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 591 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCP55,115 | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BCP55,115 | NXP/Nexperia/We-En |
Транзистор NPN, Uceo, В = 60, Ic = 1 A, ft, МГц = 180, hFE = 63 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.5 @ 50 мA, 500 мA, Р, Вт = 1,35 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
verfügbar 1 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BCP55,115 |
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2658+ | 0.25 EUR |
| 10000+ | 0.23 EUR |
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| BCP55,115 |
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Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT BCP55/SOT223/SC-73
Bipolar Transistors - BJT BCP55/SOT223/SC-73
auf Bestellung 5 Stücke:
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| 100+ | 0.48 EUR |
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| 1000+ | 0.19 EUR |
| 2000+ | 0.17 EUR |
| 5000+ | 0.14 EUR |
| BCP55,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCP55,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 640 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 640mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP55
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BCP55,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 640 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
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| 230+ | 1.01 EUR |
| 362+ | 0.6 EUR |
| 500+ | 0.52 EUR |
| BCP55,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCP55,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 640 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BCP55,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 640 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
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Produktpalette: BCP55
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 591 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 141+ | 1.78 EUR |
| 230+ | 1.01 EUR |
| 362+ | 0.6 EUR |
| 500+ | 0.52 EUR |
| BCP55,115 |
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BCP55,115 |
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Hersteller: NXP/Nexperia/We-En
Транзистор NPN, Uceo, В = 60, Ic = 1 A, ft, МГц = 180, hFE = 63 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.5 @ 50 мA, 500 мA, Р, Вт = 1,35 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Транзистор NPN, Uceo, В = 60, Ic = 1 A, ft, МГц = 180, hFE = 63 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.5 @ 50 мA, 500 мA, Р, Вт = 1,35 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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