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BCP55,115

BCP55,115 Nexperia

bcp55_ser.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 1204972 Stücke:
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Technische Details BCP55,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - BCP55,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 640 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 640mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: BCP55, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 180MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BCP55,115 BCP55,115 Nexperia bcp55_ser.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BCP55,115 BCP55,115 NEXPERIA BCP55_SER.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 1.35W; SC73,SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.35W
Case: SC73; SOT223
Current gain: 63...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180MHz
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BCP55,115 BCP55,115 Nexperia BCP55_SER.pdf Bipolar Transistors - BJT BCP55/SOT223/SC-73
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BCP55,115 BCP55,115 Nexperia USA Inc. BCP55_SER.pdf Description: TRANS NPN 60V 1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.35 W
auf Bestellung 6 Stücke:
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BCP55,115 BCP55,115 NEXPERIA NEXP-S-A0006011437-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BCP55,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 640 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 640mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP55
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 591 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BCP55,115 BCP55,115 NEXPERIA NEXP-S-A0006011437-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BCP55,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 640 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 640mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP55
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 591 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BCP55,115 NXP/Nexperia/We-En BCP55_BCX55_BC55PA.pdf Транзистор NPN, Uceo, В = 60, Ic = 1 A, ft, МГц = 180, hFE = 63 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.5 @ 50 мA, 500 мA, Р, Вт = 1,35 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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BCP55,115
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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Hersteller: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 1.35W; SC73,SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.35W
Case: SC73; SOT223
Current gain: 63...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180MHz
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Mindestbestellmenge: 112 Stücke
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Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT BCP55/SOT223/SC-73
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 60V 1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.35 W
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BCP55,115 NEXP-S-A0006011437-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCP55,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCP55,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 640 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 640mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP55
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BCP55,115 NEXP-S-A0006011437-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCP55,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCP55,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 640 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 640mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP55
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BCP55,115 BCP55_BCX55_BC55PA.pdf
Hersteller: NXP/Nexperia/We-En
Транзистор NPN, Uceo, В = 60, Ic = 1 A, ft, МГц = 180, hFE = 63 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.5 @ 50 мA, 500 мA, Р, Вт = 1,35 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
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