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Technische Details BCP55-10,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - BCP55-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 640 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 640mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: BCP55, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 180MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BCP55-10,115 nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.64 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BCP55-10,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.35 W |
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BCP55-10,115 | Hersteller : Nexperia |
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BCP55-10,115 | Hersteller : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 640mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP55 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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BCP55-10,115 | Hersteller : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 640mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP55 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCP55-10,115 | Hersteller : NEXPERIA |
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BCP55-10,115 | Hersteller : Nexperia |
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BCP55-10,115 | Hersteller : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 1.35W; SC73,SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Power dissipation: 1.35W Case: SC73; SOT223 Current gain: 63...160 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100...180MHz Pulsed collector current: 2A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BCP55-10,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.35 W |
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BCP55-10,115 | Hersteller : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 1.35W; SC73,SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Power dissipation: 1.35W Case: SC73; SOT223 Current gain: 63...160 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100...180MHz Pulsed collector current: 2A |
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