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BCP55-10

BCP55-10 Diotec Semiconductor

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Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details BCP55-10 Diotec Semiconductor

Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BCP55-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung: 2W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BCP55-10 BCP55-10 Diotec Semiconductor bcp55.pdf Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-223, 60V, 1000mA, NPN
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BCP55-10 BCP55-10 DIOTEC SEMICONDUCTOR bcp55.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BCP55-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BCP55-10 NXP/Nexperia/We-En BCP55_BCX55_BC55PA.pdf Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,65, Uceo, В = 60, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 180, hFE = 105 @ 150 mA, 2 V, Icutoff-max = 100 нА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
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Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
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Wandlerpolarität: NPN
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Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BCP55-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
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Hersteller: NXP/Nexperia/We-En
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,65, Uceo, В = 60, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 180, hFE = 105 @ 150 mA, 2 V, Icutoff-max = 100 нА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
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