BCP5516TA Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 1A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 0.19 EUR |
| 2000+ | 0.17 EUR |
| 3000+ | 0.16 EUR |
| 5000+ | 0.15 EUR |
| 7000+ | 0.14 EUR |
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Technische Details BCP5516TA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - BCP5516TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCP55 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote BCP5516TA nach Preis ab 0.10 EUR bis 1.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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BCP5516TA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K |
auf Bestellung 136 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BCP5516TA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 1A SOT-223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W |
auf Bestellung 10303 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BCP5516TA | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 2W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Mounting: SMD Frequency: 150MHz Current gain: 100...250 Kind of package: reel; tape Quantity in set/package: 1000pcs. Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BCP5516TA | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 2W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Mounting: SMD Frequency: 150MHz Current gain: 100...250 Kind of package: reel; tape Quantity in set/package: 1000pcs. |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCP5516TA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BCP5516TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCP55 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCP5516TA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BCP5516TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCP55 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BCP5516TA | Hersteller : DIODES/ZETEX |
Tranzystor NPN; 250; 2W; 60V; 1A; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP5516TA; BCP55-16TA; BCP5516TA TBCP5516 DIO Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BCP5516TA | Hersteller : Diodes Inc./Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW SOT-223 |
auf Bestellung 1296 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCP5516TA | Hersteller : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BCP5516TA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BCP5516TA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BCP55-16TA | Hersteller : onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |