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BCP56,115 Nexperia

BC639_BCP56_BCX56_7.pdf
Hersteller: Nexperia
TRANS NPN 80V 1A SOT223 Транзистори
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Technische Details BCP56,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - BCP56,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 650mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: BCP56, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 180MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote BCP56,115

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BCP56,115 NXP/Nexperia/We-En BC639_BCP56_BCX56_Philips.pdf Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,96, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 180, hFE = 63 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
verfügbar 2 Stücke:
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BCP56,115 BC639_BCP56_BCX56_Philips.pdf
Hersteller: NXP/Nexperia/We-En
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,96, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 180, hFE = 63 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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