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BCP56-10,115

BCP56-10,115 Nexperia

bcp56_ser.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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Technische Details BCP56-10,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - BCP56-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 640 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 640mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: BCP56, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 180MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BCP56-10,115 BCP56-10,115 Hersteller : Nexperia bcp56_ser.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BCP56-10,115 BCP56-10,115 Hersteller : Nexperia bcp56_ser.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BCP56-10,115 BCP56-10,115 Hersteller : Nexperia bcp56_ser.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BCP56-10,115 BCP56-10,115 Hersteller : Nexperia bcp56_ser.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BCP56-10,115 BCP56-10,115 Hersteller : Nexperia bcp56_ser.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BCP56-10,115 BCP56-10,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BCP56_SER.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 650 mW
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2000+0.14 EUR
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BCP56-10,115 BCP56-10,115 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED4A49866ABDA1E15EA&compId=BCP56-10.115.pdf?ci_sign=e2dd66796bea015c4e26474d3eed0344b935fa85 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 1.35W; SC73,SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.35W
Case: SC73; SOT223
Current gain: 63...100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1144 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
213+0.34 EUR
261+0.27 EUR
311+0.23 EUR
385+0.19 EUR
575+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 139
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BCP56-10,115 BCP56-10,115 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED4A49866ABDA1E15EA&compId=BCP56-10.115.pdf?ci_sign=e2dd66796bea015c4e26474d3eed0344b935fa85 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 1.35W; SC73,SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.35W
Case: SC73; SOT223
Current gain: 63...100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180MHz
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213+0.34 EUR
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385+0.19 EUR
575+0.12 EUR
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BCP56-10,115 BCP56-10,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BCP56_SER.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 650 mW
auf Bestellung 4251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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30+0.60 EUR
49+0.37 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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BCP56-10,115 BCP56-10,115 Hersteller : Nexperia BCP56_SER.pdf Bipolar Transistors - BJT 80 V, 1 A NPN medium power transistors
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5+0.65 EUR
10+0.40 EUR
100+0.25 EUR
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1000+0.13 EUR
2000+0.12 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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BCP56-10,115 BCP56-10,115 Hersteller : NEXPERIA BCP56_BCX56_BC56PA.pdf Description: NEXPERIA - BCP56-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 640 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 640mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 871 Stücke:
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BCP56-10,115 BCP56-10,115 Hersteller : NEXPERIA BCP56_BCX56_BC56PA.pdf Description: NEXPERIA - BCP56-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 640 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 640mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BCP56-10,115 BCP56-10,115 Hersteller : Nexperia bcp56_ser.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BCP56-10,115 BCP56-10,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002912338-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BCP56-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 640 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 640mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BCP56-10,115 BCP56-10,115 Hersteller : Nexperia bcp56_ser.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BCP56-10,115 BCP56-10,115 Hersteller : Nexperia bcp56_ser.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BCP56-10,115 BCP56-10,115 Hersteller : NEXPERIA bcp56_bcx56_bc56pa.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BCP56-10,115 Hersteller : NXP BCP56_SER.pdf NPN 1A 80V 1.5W HFE=63-160 BCP56-10 TBCP5610
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BCP56-10,115 BCP56-10,115 Hersteller : NEXPERIA bcp56_bcx56_bc56pa.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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