Technische Details BCP56-10T3G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 130MHz, Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261), Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1.5 W.
Weitere Produktangebote BCP56-10T3G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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BCP56-10T3G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS SOT223 GP XSTR NP |
auf Bestellung 4929 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BCP56-10T3G | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 3950 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BCP56-10T3G |
![]() |
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS SOT223 GP XSTR NP
Bipolar Transistors - BJT SS SOT223 GP XSTR NP
auf Bestellung 4929 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BCP56-10T3G |
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Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 3950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH


