BCP56-16,115 NXP
Hersteller: NXP
NPN 1A 80V 1.5W 130MHz HFE=100-250 BCP56-16 smd NXP TBCP5616
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Technische Details BCP56-16,115 NXP
Description: NEXPERIA - BCP56-16,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 650mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: BCP56, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 180MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BCP56-16,115 nach Preis ab 0.69 EUR bis 0.69 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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BCP56-16,115 | NXP |
NPN 1A 80V 1.5W 130MHz HFE=100-250 BCP56-16 smd NXP TBCP5616Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
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BCP56-16,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCP56-16,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP56 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 136 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
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BCP56-16,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCP56-16,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP56 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BCP56-16,115 |
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Hersteller: NXP
NPN 1A 80V 1.5W 130MHz HFE=100-250 BCP56-16 smd NXP TBCP5616
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
NPN 1A 80V 1.5W 130MHz HFE=100-250 BCP56-16 smd NXP TBCP5616
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| BCP56-16,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCP56-16,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BCP56-16,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
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Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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| BCP56-16,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCP56-16,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
MSL: -
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Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
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Produktpalette: BCP56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
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Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BCP56-16,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)

