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BCP56-16 (BCP56-16T1G) (Bipolartransistor NPN)

BCP56-16 (BCP56-16T1G) (Bipolartransistor NPN) ON

BCP54,55,56.pdf
Produktcode: 25809
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Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-223
fT: 130 MHz
Uceo,V: 100 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1
h21: 250
Montage: SMD
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BCP56-16T1G BCP56-16T1G ON Semiconductor bcp56t1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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2361+0.23 EUR
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BCP56-16T1G BCP56-16T1G ON Semiconductor bcp56t1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
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1000+0.26 EUR
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BCP56-16T1G BCP56-16T1G onsemi BCP56T1-D.PDF Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 3371 Stücke:
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1568+0.29 EUR
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BCP56-16T1G BCP56-16T1G ON-Semiconductor info-tbcp5616%20ons.pdf NPN 1A 80V 1.5W 130MHz BCP56-16T3G BCP56-16T3G BCP56-16T1G ONS BCP56-16T1G ONS TBCP5616 ONS
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BCP56-16T1G BCP56-16T1G ON-Semiconductor info-tbcp5616%20ons.pdf NPN 1A 80V 1.5W 130MHz BCP56-16T3G BCP56-16T3G BCP56-16T1G ONS BCP56-16T1G ONS TBCP5616 ONS
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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BCP56-16T1G BCP56-16T1G ONSEMI BCP56_ser.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
auf Bestellung 11829 Stücke:
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107+0.67 EUR
169+0.42 EUR
214+0.33 EUR
239+0.3 EUR
266+0.27 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.19 EUR
2000+0.16 EUR
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BCP56-16T1G BCP56-16T1G onsemi BCP56T1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 1A 100V NPN
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2+1.8 EUR
10+1.24 EUR
100+0.78 EUR
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BCP56-16T1G BCP56-16T1G ONSEMI ONSM-S-A0013178767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BCP56-16T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2139 Stücke:
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BCP56-16T1G BCP56-16T1G ON Semiconductor bcp56t1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BCP56-16T1G BCP56-16T1G ON Semiconductor bcp56t1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 75 Stücke:
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BCP56-16T1G BCP56-16T1G ONSEMI ONSM-S-A0013178767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BCP56-16T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2139 Stücke:
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BCP56-16T1G ON Semiconductor BCP56T1-D.pdf Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 130, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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BCP56-16T1G bcp56t1d.pdf
BCP56-16T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
2361+0.23 EUR
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BCP56-16T1G bcp56t1d.pdf
BCP56-16T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
1000+0.26 EUR
3000+0.23 EUR
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BCP56-16T1G BCP56T1-D.PDF
BCP56-16T1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
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BCP56-16T1G
Hersteller: ON-Semiconductor
NPN 1A 80V 1.5W 130MHz BCP56-16T3G BCP56-16T3G BCP56-16T1G ONS BCP56-16T1G ONS TBCP5616 ONS
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BCP56-16T1G
Hersteller: ON-Semiconductor
NPN 1A 80V 1.5W 130MHz BCP56-16T3G BCP56-16T3G BCP56-16T1G ONS BCP56-16T1G ONS TBCP5616 ONS
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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BCP56-16T1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
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AnzahlPreis
107+0.67 EUR
169+0.42 EUR
214+0.33 EUR
239+0.3 EUR
266+0.27 EUR
500+0.23 EUR
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BCP56-16T1G BCP56T1-D.PDF
BCP56-16T1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 1A 100V NPN
auf Bestellung 25693 Stücke:
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AnzahlPreis
2+1.8 EUR
10+1.24 EUR
100+0.78 EUR
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BCP56-16T1G ONSM-S-A0013178767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCP56-16T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP56-16T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BCP56-16T1G bcp56t1d.pdf
BCP56-16T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 75 Stücke:
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BCP56-16T1G bcp56t1d.pdf
BCP56-16T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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BCP56-16T1G ONSM-S-A0013178767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCP56-16T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP56-16T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2139 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BCP56-16T1G BCP56T1-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 130, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
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BC846B (Bipolartransistor NPN)
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BC846B (Bipolartransistor NPN)
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 65 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 450
Montage: SMD
auf Bestellung 50 St.:
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VCR-14D_081201.pdf
VCR-14D431K
Hersteller: Hitano
Passive Bauelemente > Varistoren
Arbeitsspannung AC/DC, V: 275/350
S.var., V: 430(387-473)
Max.Spannung und Aktiviwerungsstrom, V@A: 710@50
Imax.(8/20mcs): 4500
Leistung, Watt: 0,6
Kapazität, pF: 460
Größe: 14D
verfügbar: 90 St.
    erwartet: 2000 St.
    • 2000 St. - erwartet 29.10.2026
    AnzahlPreis
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    BC327-25
    Produktcode: 15290
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    		bc327-datasheet.pdf
    BC327-25
    Hersteller: Fairchild
    Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
    Gehäuse: TO-92
    fT: 100 MHz
    U, V: 45
    U, V: 50
    I, А: 0.8
    h21,max: 450
    ZCODE: 8541 21 00 90
    verfügbar: 1429 St.
    • 212 St. - stock Köln
    • 1217 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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    Вентилятор 60x60x15, 12V (GT2-7006 12VDC)
    Produktcode: 114904
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    		gt2-7006-images.jpg
    Вентилятор 60x60x15, 12V (GT2-7006 12VDC)
    Hersteller: Global Tone
    Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Lüfter und Zubehör
    Abmessungen, mm: 60x60x15 mm
    Spannung, V: 12 DC
    Leistung, Watt: 1,32 Вт
    Beschreibung: Підшипник ковзання "втулка"
    Produkt ist nicht verfügbar
    erwartet: 500 St.
    • 500 St. - erwartet
    AnzahlPreis
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    PLATO-170
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    PLATO-170
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    Тип: Бокорізи, кусачки
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    auf Bestellung 590 St.:
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    erwartet 2040 St.:
    2000 St. - erwartet 25.09.2026
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH