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BCP5610MTWG

BCP5610MTWG ON Semiconductor


bcp56m-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
General Purpose Transistor Medium Power, NPN
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Technische Details BCP5610MTWG ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 80V 1A 3WDFNW, Packaging: Bulk, Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 140MHz, Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2), Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1.5 W.

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BCP5610MTWG BCP5610MTWG Hersteller : ON Semiconductor bcp56m-d.pdf General Purpose Transistor Medium Power, NPN
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BCP5610MTWG BCP5610MTWG Hersteller : onsemi bcp56m-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A 3WDFNW
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
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BCP5610MTWG BCP5610MTWG Hersteller : onsemi BCP56M_D-3538106.pdf Bipolar Transistors - BJT 80V1ANPNWDFNW3 2X2
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