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BCP5610TA

BCP5610TA Diodes Incorporated

BCP54_55_56.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
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Technische Details BCP5610TA Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: SOT-223-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 2 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BCP5610TA BCP5610TA Diodes Incorporated BCP54_55_56.pdf Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
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10+0.38 EUR
100+0.33 EUR
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