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BCP5616T3G

BCP5616T3G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
BCP5616T3G
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Technische Details BCP5616T3G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BCP56-16T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 1.5W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BCP56-16T3G BCP56-16T3G ON Semiconductor bcp56t1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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230+0.76 EUR
359+0.46 EUR
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BCP56-16T3G BCP56-16T3G ON Semiconductor bcp56t1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BCP56-16T3G BCP56-16T3G ONSEMI BCP56T1-D.PDF Description: ONSEMI - BCP56-16T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7481 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+1.5 EUR
282+0.82 EUR
381+0.56 EUR
1000+0.4 EUR
2000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
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BCP56-16T3G BCP56-16T3G ONSEMI BCP56T1-D.PDF Description: ONSEMI - BCP56-16T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BCP56-16T3G BCP56-16T3G onsemi BCP56T1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 1A 100V NPN
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BCP56-16T3G ON Semiconductor BCP56T1-D.pdf Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 130, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP56-16T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: -
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Dauerkollektorstrom: 1A
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Description: ONSEMI - BCP56-16T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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MSL: -
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
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