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BCP69T1G

BCP69T1G ON Semiconductor

bcp69t1d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 20V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details BCP69T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BCP69T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 20 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 375hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: BCxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 60MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BCP69T1G BCP69T1G Hersteller : ON Semiconductor bcp69t1d.pdf Trans GP BJT PNP 20V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BCP69T1G BCP69T1G Hersteller : onsemi bcp69t1-d.pdf Description: TRANS PNP 20V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 2000 Stücke:
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1000+0.27 EUR
2000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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BCP69T1G BCP69T1G Hersteller : ON Semiconductor bcp69t1d.pdf Trans GP BJT PNP 20V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 28000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 7000
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BCP69T1G BCP69T1G Hersteller : ON-Semiconductor BCP69T1-D_ON.pdf Trans GP BJT PNP 20V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 BCP69T1G TBCP69 ONS
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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BCP69T1G BCP69T1G Hersteller : ONSEMI bcp69t1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 20V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 85...375
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 60MHz
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103+0.7 EUR
157+0.46 EUR
240+0.3 EUR
278+0.26 EUR
319+0.22 EUR
500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 103
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BCP69T1G BCP69T1G Hersteller : onsemi bcp69t1-d.pdf Description: TRANS PNP 20V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1.5 W
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17+1.07 EUR
27+0.66 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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BCP69T1G BCP69T1G Hersteller : onsemi bcp69t1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 1A 20V PNP
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3+1.09 EUR
10+0.67 EUR
100+0.43 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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BCP69T1G BCP69T1G Hersteller : ON Semiconductor bcp69t1d.pdf Trans GP BJT PNP 20V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 24448 Stücke:
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Anzahl Preis
116+1.26 EUR
188+0.74 EUR
292+0.46 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.27 EUR
2000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 116
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BCP69T1G BCP69T1G Hersteller : ONSEMI 1708251.pdf Description: ONSEMI - BCP69T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 20 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 375hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8348 Stücke:
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BCP69T1G BCP69T1G Hersteller : ONSEMI 1708251.pdf Description: ONSEMI - BCP69T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 20 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 375hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BCP69T1G BCP69T1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0011183087-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BCP69T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 20 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 53000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BCP69T1G Hersteller : ON Semiconductor BCP69T1-D.pdf Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 20, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 60, hFE = 85 @ 500 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 100 мA, 1 A, Тексп, °С = -65...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
verfügbar 11 Stücke:
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BCP69T1G Hersteller : On Semiconductor bcp69t1-d.pdf PNP, Uкэ=20V, Iк=1A, h21=50...375, 1.5Вт, 60МГц, TO-261 (SOT-223-4) (SMD) (компл. BCP68T1) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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