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BCR 10PN H6327 Infineon


Hersteller: Infineon

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Technische Details BCR 10PN H6327 Infineon

Category: Complementary transistors, Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A, Type of transistor: NPN / PNP, Polarisation: bipolar, Kind of transistor: BRT; complementary pair, Collector-emitter voltage: 50V, Collector current: 0.1A, Power dissipation: 0.25W, Case: SOT363, Mounting: SMD, Frequency: 130MHz, Base resistor: 10kΩ, Base-emitter resistor: 10kΩ.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BCR10PNH6327 Infineon SOT363 Транзистори
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BCR 10PN H6327 BCR 10PN H6327 Infineon Technologies bcr10pn.pdf Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR
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BCR10PNH6327 BCR10PNH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR10PNH6327.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Frequency: 130MHz
Base resistor: 10kΩ
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SOT363 Транзистори
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Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
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Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
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