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BCR 116S H6327

BCR 116S H6327 Infineon Technologies

Infineon-BCR116SERIES-DS-v01_01-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR
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Technische Details BCR 116S H6327 Infineon Technologies

Category: NPN SMD transistors, Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 4.7kΩ, Mounting: SMD, Base-emitter resistor: 47kΩ, Case: SOT363, Frequency: 150MHz, Collector current: 0.1A, Collector-emitter voltage: 50V, Base resistor: 4.7kΩ, Power dissipation: 0.25W, Polarisation: bipolar, Kind of transistor: BRT, Type of transistor: NPN x2.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BCR116SH6327 BCR116SH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR116.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SOT363
Frequency: 150MHz
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 4.7kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN x2
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BCR116SH6327 Infineon 2NPN 50V 100mA 150MHz 250mW BCR116SH6327XTSA1 BCR116SH6327 Infineon TBCR116s
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BCR116SH6327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SOT363
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Collector current: 0.1A
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BCR116SH6327
Hersteller: Infineon
2NPN 50V 100mA 150MHz 250mW BCR116SH6327XTSA1 BCR116SH6327 Infineon TBCR116s
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