BCR 133 E6327 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Транзистор цифровий smd, Структура = NPN, Uceo, В = 50, Ic, А = 0,1, ft, МГц = 130, hFE = 30 @ 5 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Ptot, Вт = 0,2, R1, кОм = 10, R2, кОм = 10, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 500 мкA, 10 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистор
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Technische Details BCR 133 E6327 Infineon Technologies
Транзистор цифровий smd, Структура = NPN, Uceo, В = 50, Ic, А = 0,1, ft, МГц = 130, hFE = 30 @ 5 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Ptot, Вт = 0,2, R1, кОм = 10, R2, кОм = 10, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 500 мкA, 10 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистор, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote BCR 133 E6327
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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BCR 133 E6327 | Infineon Technologies |
Digital Transistors AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BCR 133 E6327 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Digital Transistors AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH