BCR133E6327 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Case: SOT23
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 10kΩ
Base resistor: 10kΩ
Frequency: 130MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Mounting: SMD
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 334+ | 0.21 EUR |
| 452+ | 0.16 EUR |
| 536+ | 0.13 EUR |
| 651+ | 0.11 EUR |
| 692+ | 0.1 EUR |
| 784+ | 0.091 EUR |
| 835+ | 0.086 EUR |
| 1005+ | 0.071 EUR |
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Technische Details BCR133E6327 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors, Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ, Type of transistor: NPN, Case: SOT23, Collector current: 0.1A, Power dissipation: 0.2W, Collector-emitter voltage: 50V, Base-emitter resistor: 10kΩ, Base resistor: 10kΩ, Frequency: 130MHz, Polarisation: bipolar, Kind of transistor: BRT, Mounting: SMD.
Weitere Produktangebote BCR133E6327
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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BCR133E6327 | Hersteller : Infineon | Код виробника: BCR133 E6327 : BCR133E6327HTSA1 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| BCR 133 E6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
Транзистор цифровий smd, Структура = NPN, Uceo, В = 50, Ic, А = 0,1, ft, МГц = 130, hFE = 30 @ 5 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Ptot, Вт = 0,2, R1, кОм = 10, R2, кОм = 10, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 500 мкA, 10 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Група това Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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BCR 133 E6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
Digital Transistors AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA |
Produkt ist nicht verfügbar |