BCR 133 E6327 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Транзистор цифровий smd, Структура = NPN, Uceo, В = 50, Ic, А = 0,1, ft, МГц = 130, hFE = 30 @ 5 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Ptot, Вт = 0,2, R1, кОм = 10, R2, кОм = 10, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 500 мкA, 10 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистор
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BCR 133 E6327 Infineon Technologies
Category: NPN SMD transistors, Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ, Type of transistor: NPN, Polarisation: bipolar, Kind of transistor: BRT, Collector-emitter voltage: 50V, Collector current: 0.1A, Power dissipation: 0.2W, Case: SOT23, Mounting: SMD, Frequency: 130MHz, Base resistor: 10kΩ, Base-emitter resistor: 10kΩ.
Weitere Produktangebote BCR 133 E6327
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BCR 133 E6327 | Infineon Technologies |
Digital Transistors AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
BCR133E6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 130MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BCR 133 E6327 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Digital Transistors AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA
Digital Transistors AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BCR133E6327 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 130MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 130MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH