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BCR146E6327

BCR146E6327 Infineon

TBCR146_0147.pdf
Hersteller: Infineon
NPN 50V 70mA 150MHz 200mW BCR146E6327HTSA1 BCR146E6327 Infineon TBCR146
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Technische Details BCR146E6327 Infineon

Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Frequency - Transition: 150 MHz, Power - Max: 200 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Bulk.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BCR 146 E6327 BCR 146 E6327 Infineon Technologies Infineon-BCR146-DS-v01_01-en-514468.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR
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BCR 146 E6327 Infineon-BCR146-DS-v01_01-en-514468.pdf
BCR 146 E6327
Hersteller: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR
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