BCR146E6327 Infineon
Hersteller: Infineon
NPN 50V 70mA 150MHz 200mW BCR146E6327HTSA1 BCR146E6327 Infineon TBCR146
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details BCR146E6327 Infineon
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3, Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 150 MHz, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms.
Weitere Produktangebote BCR146E6327 nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.71 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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BCR 146 E6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR |
auf Bestellung 38913 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BCR146E6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3 Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms |
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