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BCR169E6327

BCR169E6327 Infineon Technologies

INFNS11715-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 186000 Stücke:
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AnzahlPreis
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Technische Details BCR169E6327 Infineon Technologies

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Bulk, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Frequency - Transition: 200 MHz, Power - Max: 200 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BCR 169 E6327 Infineon Technologies Infineon-BCR169SERIES-DS-v01_01-en[1]-514366.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Silicon Digital TRANSISTOR
auf Bestellung 163 Stücke:
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5+0.61 EUR
10+0.42 EUR
100+0.27 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.1 EUR
9000+0.079 EUR
24000+0.074 EUR
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BCR169 E6327 INFINEON SOT23-WS PB-FREE
auf Bestellung 372000 Stücke:
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Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Silicon Digital TRANSISTOR
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