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BCR185E6327

BCR185E6327 INFINEON TECHNOLOGIES

BCR185.pdf Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SOT23
Frequency: 200MHz
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Technische Details BCR185E6327 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 200 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.

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BCR185E6327 BCR185E6327 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BCR185.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SOT23
Frequency: 200MHz
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BCR 185 E6327 BCR 185 E6327 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BCR185SERIES-DS-v01_01-en-1225422.pdf Digital Transistors PNP Silicon Digital TRANSISTOR
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BCR185E-6327
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BCR185E6327 BCR185E6327 Hersteller : Infineon Technologies INFNS11751-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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