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BCR 192 E6327

BCR 192 E6327 Infineon Technologies

INFNS11617-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
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Technische Details BCR 192 E6327 Infineon Technologies

Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistor - Base (R1): 22 kOhms, Frequency - Transition: 200 MHz, Power - Max: 200 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Bulk.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BCR 192 E6327 BCR 192 E6327 Infineon info-tbcr192e.pdf PNP transistor bipolar 50V 100mA BCR192E6785 BCR192E6327 TBCR192e
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PNP transistor bipolar 50V 100mA BCR192E6785 BCR192E6327 TBCR192e
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