BCR523UE6327 Infineon
Hersteller: Infineon
NPN 50V 500mA 100MHz 330mW BCR523UE6327 TBCR523u
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Technische Details BCR523UE6327 Infineon
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, Power - Max: 330mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Packaging: Bulk, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-SC74-6-1, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Resistor - Base (R1): 1kOhms, Frequency - Transition: 100MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V.
Weitere Produktangebote BCR523UE6327 nach Preis ab 0.25 EUR bis 0.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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| BCR 523U E6327 | Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR |
auf Bestellung 17994 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BCR 523U E6327 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 0.74 EUR |
| 10+ | 0.63 EUR |
| 100+ | 0.47 EUR |
| 250+ | 0.44 EUR |
| 500+ | 0.37 EUR |
| 1000+ | 0.3 EUR |
| 3000+ | 0.25 EUR |