BCR523UE6327 Infineon
Hersteller: Infineon
NPN 50V 500mA 100MHz 330mW BCR523UE6327 TBCR523u
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Technische Details BCR523UE6327 Infineon
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 330mW, Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Resistor - Base (R1): 1kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: PG-SC74-6-1, Part Status: Active.
Weitere Produktangebote BCR523UE6327 nach Preis ab 0.33 EUR bis 2.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| BCR 523U E6327 | Infineon Technologies |
Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR |
auf Bestellung 2360 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BCR 523U E6327 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR
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|---|---|
| 2+ | 2.2 EUR |
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| 3000+ | 0.38 EUR |
| 6000+ | 0.33 EUR |