BCR08PN-AQ Diotec Semiconductor
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Technische Details BCR08PN-AQ Diotec Semiconductor
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BCR08PN-AQ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, Verlustleistung: 250mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.
Weitere Produktangebote BCR08PN-AQ nach Preis ab 0.083 EUR bis 1.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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BCR08PN-AQ | Diotec Semiconductor |
 Bipolar Transistors - BJT Digital Transistor, SOT-363, 50V, 100mA, AEC-Q101 |
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BCR08PN-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BCR08PN-AQ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V |
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BCR08PN-AQ | Diotec Semiconductor |
Description: BIASED BJT, SOT-363, NPN+PNP, 2. Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 170MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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BCR08PN-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT363 Mounting: SMD Frequency: 170MHz Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Application: automotive industry Kind of package: reel; tape |
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| BCR08PN-AQ | Diotec Semiconductor |
BCR08PN-AQ |
auf Bestellung 2855 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BCR08PN-AQ |
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Hersteller: Diotec Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT Digital Transistor, SOT-363, 50V, 100mA, AEC-Q101
Bipolar Transistors - BJT Digital Transistor, SOT-363, 50V, 100mA, AEC-Q101
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 0.57 EUR |
| 10+ | 0.39 EUR |
| 100+ | 0.32 EUR |
| 500+ | 0.26 EUR |
| 1000+ | 0.23 EUR |
| 3000+ | 0.15 EUR |
| 9000+ | 0.083 EUR |
| BCR08PN-AQ |
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Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BCR08PN-AQ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BCR08PN-AQ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 315+ | 0.8 EUR |
| 447+ | 0.52 EUR |
| 535+ | 0.4 EUR |
| 667+ | 0.32 EUR |
| 1000+ | 0.29 EUR |
| BCR08PN-AQ |
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Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: BIASED BJT, SOT-363, NPN+PNP, 2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 170MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: BIASED BJT, SOT-363, NPN+PNP, 2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 170MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 1.48 EUR |
| BCR08PN-AQ |
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Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 2855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BCR08PN-AQ |
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Hersteller: Diotec Semiconductor
BCR08PN-AQ
BCR08PN-AQ
auf Bestellung 2855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 919+ | 0.19 EUR |