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BCR08PNH6327XTSA1

BCR08PNH6327XTSA1 Infineon

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Hersteller: Infineon
NPN/PNP 50V 170MHz 250mW BCR08PNH6327XTSA1 BCR08PNH6327 Infineon TBCR08pn
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Technische Details BCR08PNH6327XTSA1 Infineon

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 170MHz, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: PG-SOT363-PO.

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BCR08PNH6327XTSA1 BCR08PNH6327XTSA1 Infineon Technologies bcr08pn.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
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BCR08PNH6327XTSA1 ROCHESTER ELECTRONICS Infineon-BCR08PN-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431428a37301144068b8bc02fd Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCR08PNH6327XTSA1 - BCR 08PN - AF DIGITAL TRANSISTOR
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