BCR08PNH6327XTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BCR08PNH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 170MHz, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: PG-SOT363-PO.
Weitere Produktangebote BCR08PNH6327XTSA1 nach Preis ab 0.073 EUR bis 0.64 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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BCR08PNH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BCR08PNH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BCR08PNH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BCR08PNH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BCR08PNH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR |
auf Bestellung 85370 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BCR08PNH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 250mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R |
auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BCR08PNH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; 50V; 100mA; 250mW; SC88,SOT363 Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SC88; SOT363 Current gain: 70 Mounting: SMD Frequency: 170MHz Semiconductor structure: double Base resistor: 2.2kΩ Application: automotive industry Base-emitter resistor: 47kΩ |
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| BCR08PNH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon |
NPN/PNP 50V 170MHz 250mW BCR08PNH6327XTSA1 BCR08PNH6327 Infineon TBCR08pn Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BCR08PNH6327XTSA1 | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCR08PNH6327XTSA1 - BCR 08PN - AF DIGITAL TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCR08PNH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BCR08PNH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BCR08PNH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 170MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO |
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