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BCR108E6433HTMA1

BCR108E6433HTMA1 Infineon Technologies

bcr108series.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BCR108E6433HTMA1 Infineon Technologies

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Frequency - Transition: 170 MHz, Power - Max: 200 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Last Time Buy, Supplier Device Package: PG-SOT23, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BCR108E6433HTMA1 Infineon Technologies Infineon_BCR108SERIES_DS_v01_01_en.pdf Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR
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