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BCR116E6433HTMA1

BCR116E6433HTMA1 Infineon Technologies

bcr116series.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BCR116E6433HTMA1 Infineon Technologies

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT23, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 150 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.

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BCR116E6433HTMA1 BCR116E6433HTMA1 Hersteller : Infineon Technologies bcr116series.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BCR116E6433HTMA1 BCR116E6433HTMA1 Hersteller : Infineon Technologies bcr116series.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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BCR116E6433HTMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BCR116SERIES-DS-v01_01-en-514457.pdf Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR
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