Technische Details BCR116SH6327XTSA1 Infineon
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 150MHz, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: PG-SOT363-PO.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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BCR116SH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
 Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT363Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO |
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Mindestbestellmenge: 18000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BCR116SH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR |
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| BCR116SH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
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BCR116SH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
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| BCR116SH6327XTSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
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| BCR116SH6327XTSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR
Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR
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| BCR116SH6327XTSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
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Stück im Wert von UAH
| BCR116SH6327XTSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
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