BCR119SH6327XTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BCR119SH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 150MHz, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Supplier Device Package: PG-SOT363-PO, Part Status: Last Time Buy.
Weitere Produktangebote BCR119SH6327XTSA1 nach Preis ab 0.08 EUR bis 0.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BCR119SH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
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Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
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Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Bulk Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Last Time Buy |
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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R |
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Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Last Time Buy |
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BCR119SH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR |
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