BCR135E6327HTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BCR135E6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BCR135E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BCR135E6327HTSA1 nach Preis ab 0.04 EUR bis 0.36 EUR
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BCR135E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BCR135E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BCR135E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BCR135E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BCR135E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
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BCR135E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR |
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BCR135E6327HTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BCR135E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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BCR135E6327HTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BCR135E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 37494 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCR135E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BCR135E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon |
NPN 100mA 50V 200mW 150MHz w/ res. 10k+47k BCR135 TBCR135 Anzahl je Verpackung: 250 Stücke |
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| BCR135E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon |
NPN 100mA 50V 200mW 150MHz w/ res. 10k+47k BCR135 TBCR135 Anzahl je Verpackung: 250 Stücke |
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BCR135E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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BCR135E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BCR135E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
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