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BCR135E6327HTSA1

BCR135E6327HTSA1 Infineon Technologies

bcr135series.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BCR135E6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BCR135E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, Verlustleistung: 200mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BCR135E6327HTSA1 BCR135E6327HTSA1 Infineon Technologies bcr135series.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BCR135E6327HTSA1 BCR135E6327HTSA1 Infineon Technologies bcr135series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143f8b054a0289 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 75 Stücke:
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34+0.63 EUR
55+0.38 EUR
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BCR135E6327HTSA1 BCR135E6327HTSA1 INFINEON 1849693.html Description: INFINEON - BCR135E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 20878 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
291+0.86 EUR
622+0.37 EUR
725+0.3 EUR
1178+0.18 EUR
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Mindestbestellmenge: 291 Stücke
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
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Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
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Resistors Included: R1 and R2
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Description: INFINEON - BCR135E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
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Description: INFINEON - BCR135E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
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Wandlerpolarität: Einfach NPN
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 20878 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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